LED芯片、提升LED芯片发光性能的外延片及制备方法

本发明公开了一种LED芯片、提升LED芯片发光性能的外延片及制备方法，该外延片的结构包括衬底，以及依次沉积在衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、应力释放层、超晶格结构层、多量子阱层、电子阻挡层和p型GaN层；超晶格结构层包括GaN层以及沉积在GaN层上的MoS2薄膜，本发明通过增加超晶格结构层，在GaN上镀MoS2薄膜，形成MoS2/GaN异质结结构，增大电子和空穴的复合率，有效提高复合发光率，拓宽吸收范围。