发光二极管芯片混光方法以及发光二极管芯片配置结构

本发明提供一种发光二极管芯片混光方法以及发光二极管芯片配置结构。发光二极管芯片混光方法包括：首先，提供多个发光二极管芯片，每一个发光二极管芯片具有一预定工作电流范围或者一预定工作电压范围；接着，将每一个预定时间长度t秒切分成n个连续的时间区段，以使得每一个时间区段具有t/n秒；然后，在每一个预定时间长度t秒的每一个时间区段t/n秒内，渐进式调整提供给每一个发光二极管芯片的一驱动电源，以使得每一个发光二极管芯片所产生的一预定发光波长可以允许在每一个预定时间长度t秒的每一个时间区段t/n秒内持续产生改变，借此每一个发光二极管芯片可以被配置以用于提供波长持续被改变的一投射光源。