一种用于SiC功率MOSFET器件栅压可调的短路保护驱动电路

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推荐专利
一种用于SiC功率MOSFET器件栅压可调的短路保护驱动电路
申请号:CN202410829497
申请日期:2024-06-25
公开号:CN118740124A
公开日期:2024-10-01
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种用于SiC功率MOSFET器件栅压可调的短路保护驱动电路,包括可调电压模块、驱动电路模块和保护电路模块;通过可调电压模块,得到适用于绝大多数SiC MOSFET的驱动电压;驱动电路模块包括驱动芯片、二极管D3、二极管D4以及两个变阻器,二极管D3和二极管D4分别与一个变阻器串联实现可调节的开通和关断电阻,正负电压供给至驱动芯片,实现可调节的器件栅极开通和关断电压;保护电路模块采用三步短路保护电路,包括dv/dt短路检测电路、di/dt短路检测电路、栅压钳位电路以及所述退保和检测及栅压关断电路,短路检测速度快,防止误触发,减小器件关断漏源极电压过冲。
技术关键词
SiC功率MOSFET器件 保护驱动电路 短路检测电路 钳位单元 保护电路模块 瞬态抑制二极管 钳位电路 延时电路控制 变阻器 关断 电流检测电路 电压检测电路 驱动芯片 电阻 栅极 短路保护电路
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沪ICP备2023015588号