SRAM物理不可克隆函数电路及设备

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SRAM物理不可克隆函数电路及设备
申请号:CN202410830176
申请日期:2024-06-25
公开号:CN118378312B
公开日期:2024-08-16
类型:发明专利
摘要
本申请涉及一种SRAM物理不可克隆函数电路及设备。包括供电控制模块、第一控制模块、单端口SRAM存储器、数据位加法器模块、使能位加法器模块、多位选择器模块和第二控制模块。在PUF控制信号有效时,通过供电控制模块使单端口SRAM存储器能够自动化的进行多轮上/断电操作,数据位加法器模块对单端口SRAM存储器的输出值进行累加,使能位加法器模块产生累加次数信号,多位选择器模块根据累加次数信号、单端口SRAM存储器的输出及使能位加法器模块的输出物理不可克隆随机值。自动化的多次累加SRAM物理不可克隆函数电路的随机输出值,大大提高了随机输出数据的稳定性。
技术关键词
加法器模块 SRAM存储器 供电控制模块 数据处理设备 输入端 输出端 物理 时钟 身份验证设备 电路 端口 电信号 芯片
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