一种高反向电压的大功率LED外延结构及其生长方法

本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种高反向电压的大功率LED外延结构及其生长方法。本发明的生长方法通过在高温P型GaN层上生长一层InGaN层作为界面处理层，界面处理层利用In原子的活泼性特性，使InGaN更倾向三维生长，可以用更少的厚度填平V型缺陷，有效的减少漏电通道、提高反向电压等性能。相较于常规采用P型GaN层填平V型缺陷而言，InGaN的厚度较薄，对出光效率和发光效率的影响较小，可在提高反向电压的同时不影响亮度性能。