一种功率半导体器件上铝焊盘的制造方法

本发明提供了一种功率半导体器件上铝焊盘的制造方法，包括：步骤S1，以制成半导体芯片并经清洗干燥后的晶圆为阴极，以铝丝为阳极，以离子液体为镀液，以玻璃烧杯为镀槽，均置于填充有保护气体的箱体内；步骤S2，将阳极与直流电源的正极电连接，并将阴极与直流电源的负极电连接；步骤S3，通电进行电镀，随后将晶圆取出经过溶剂超声清洗和水洗干燥处理后，得到电镀有铝焊盘的功率半导体器件。有益效果是本发明实现无需光刻清洗步骤便能制造得到铝焊盘，降低成本，提高沉积铝的效率，减少刻蚀时间。