磁隧道结、磁隧道结制备方法及凸轮轴传感器

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磁隧道结、磁隧道结制备方法及凸轮轴传感器
申请号:CN202410834420
申请日期:2024-06-26
公开号:CN118922054A
公开日期:2024-11-08
类型:发明专利
摘要
本申请公开了磁隧道结、磁隧道结制备方法及凸轮轴传感器,磁隧道结包括:自由磁性层、参考磁性层、绝缘势垒层和中间层,中间层设于参考磁性层背离绝缘势垒层的一侧,中间层包括稳定层,稳定层靠近于参考磁性层设置,其中,参考磁性层的组成材料中包括N种元素,N种元素中包括一种非稳定性元素,稳定层的组成材料中包括M种元素,M种元素中包括非稳定性元素。通过本申请提供的技术方案能够防止参考磁性层的非稳定性元素扩散至绝缘势垒层,保证绝缘势垒层的性能不受到非稳定元素扩散的影响。
技术关键词
凸轮轴传感器 自由磁性层 中间层 磁隧道结 传感器壳体 势垒层 传感器芯片 反铁磁层 钉扎层 元素 磁控溅射工艺 绝缘 灵敏度参数 基底层 钐钴磁铁 导电层 三氧化二铝 缓冲层
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