发光二极管芯片及其制备方法

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发光二极管芯片及其制备方法
申请号:CN202410835139
申请日期:2024-06-26
公开号:CN118782707A
公开日期:2024-10-15
类型:发明专利
摘要
本公开提供了一种发光二极管芯片及其制备方法,属于电子器件领域。该发光二极管芯片包括:外延层、电流阻挡层、电极和电极线;电流阻挡层位于外延层的一面;电极和电极线位于电流阻挡层背向外延层的一面,电极线的第一端与电极相连,电极线的第二端背离电极延伸,沿电极线的延伸方向,电极线的宽度逐渐减小。本公开能够有效的提升发光二极管芯片的光效。
技术关键词
发光二极管芯片 电流阻挡层 电极线 外延 电子器件 阶梯 线性
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