用于半导体封装的精密元件电连接优化方法

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用于半导体封装的精密元件电连接优化方法
申请号:CN202410835253
申请日期:2024-06-26
公开号:CN118398508B
公开日期:2024-10-29
类型:发明专利
摘要
本申请提供了用于半导体封装的精密元件电连接优化方法,涉及半导体技术领域,该方法包括:构建焊盘三维模型以模拟热超声键合过程,采集键合控制参数,叠加移动控制误差生成移动键合区域。索引获得键合焊盘区域,生成键合位置分布。以提升键合强度和降低焊盘损伤为目的,优化键合控制参数,获得最优参数。采用这些参数进行精密元件的热超声键合电连接。通过本申请可以解决现有技术由于缺乏精确的键合参数优化方法,导致热超声键合过程中的电连接强度不稳定,进一步影响半导体封装的可靠性的技术问题,提高了半导体封装过程中精密元件电连接的质量和效率。
技术关键词
键合焊盘 半导体封装 控制误差 三维模型 元件 样本 索引 强度 参数优化方法 噪声集 坐标系 图像 压力 标识 数据
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