一种LED芯片及其制作方法

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正文
推荐专利
一种LED芯片及其制作方法
申请号:CN202410843865
申请日期:2024-06-27
公开号:CN118712305B
公开日期:2025-10-31
类型:发明专利
摘要
一种LED芯片及其制作方法,LED芯片具有位于衬底一侧表面的外延结构,外延结构至少包括沿第一方向依次层叠的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层;第一方向垂直于衬底并由衬底指向外延结构;在所述第二型半导体层背离所述有源层的一侧表面依次层叠的第一透明导电层、第二透明导电层;其中,所述第二透明导电层具有图形化表面。由于设置了双层透明导电层,可以通过调整第一透明导电层和第二透明导电层的生长工艺,使得第一透明导电层具有良好的欧姆接触,第二透明导电层具有较高的透过率。并且,在第二透明导电层上具有图像化表面,可以提高光提取效率。一种LED芯片的制作方法用于制作上述LED芯片。
技术关键词
透明导电层 LED芯片 衬底 半导体层制作 生长外延结构 光刻胶层 纳米压印技术 涂敷光刻胶 光提取效率 层叠 电子束 电极 透过率 阵列 图像
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