RC IGBT和操作RC IGBT的方法

本公开涉及RC IGBT和操作RC IGBT的方法。RC IGBT(1)在单个芯片中包括有源区(1‑2)，所述有源区(1‑2)被配置为在RC IGBT(1)的半导体主体(10)的前侧(110)的第一负载端子(11)和在半导体主体(10)的后侧(120)的第二负载端子(12)之间既传导正向负载电流又传导反向负载电流。有源区(1‑2)被分离成至少：仅IGBT区(1‑21)，其至少90％被配置为基于第一控制信号(13‑21)仅传导正向负载电流；RC IGBT区(1‑22)，其至少90％被配置为传导反向负载电流并且基于第二控制信号(13‑22)传导正向负载电流；和混合区(1‑24)，其至少90％被配置为基于第一控制信号(13‑21)和第二控制信号(13‑22)二者传导正向负载电流。