一种用于低杂散电感IGBT模块中芯片单元的基板及其布局结构

本发明属于电子器件技术领域，涉及一种用于低杂散电感IGBT模块中芯片单元的基板及其布局结构。一种用于低杂散电感IGBT模块中芯片单元的基板，包括基板，所述基板上设置有第一金属片，所述第一金属片划分为芯片区及发射极焊接区，所述芯片区包括左右对称设置的第一芯片区和第二芯片区，所述发射极焊接区设置在第一芯片区最下方的第一芯片位和第二芯片区最下方的第二芯片位之间；解决了现有IGBT芯片单元控制回路中驱动栅极信号端子和辅助发射极端子与并联的4个IGBT功率芯片控制回路长度不同而导致芯片间开关不同步和电流不均衡的问题。