一种三维封装芯片及其制造方法

本发明提供一种三维封装芯片及其制造方法，所述三维封装芯片包括：第一芯片及第二芯片；隔离层，设置在所述第一芯片和所述第二芯片之间；导电结构，穿过所述隔离层连接所述第一芯片和所述第二芯片；磁感材料层，设置在所述隔离层中，且所述磁感材料层位于相邻的两列所述导电结构之间；以及第一金属层和第二金属层；其中，所述第一金属层、所述磁感材料层一侧的所述导电结构、所述第二金属层，以及所述磁感材料层另一侧的所述导电结构依次连接，形成环绕所述磁感材料层的螺旋通路。通过本发明提供的一种三维封装芯片及其制造方法，可解决集成电路中大电感的封装问题。