一种SU-8光刻胶溶胀应力和变形本构模型的构建方法

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一种SU-8光刻胶溶胀应力和变形本构模型的构建方法
申请号:CN202410854120
申请日期:2024-06-28
公开号:CN118734642A
公开日期:2024-10-01
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种SU‑8光刻胶溶胀应力和变形本构模型的构建方法,其特征在于,包括以下步骤:对SU‑8光刻胶在不同应变率和温度条件下进行试验,并记录应力‑应变曲线数据;采用广义Maxwell模型描述SU‑8光刻胶的黏弹性行为;采用非线性最小二乘法拟合广义Maxwell模型参数;搭建神经网络框架,确定损失函数和优化算法;采用遗传算法优化广义Maxwell模型的参数,从而得到SU‑8光刻胶应力应变本构模型。通过本方案获得的本构模型能够较好地表征SU‑8光刻胶热溶胀性及胶层内应力的本构关系,同时采用遗传算法使初始本构模型参数尽可能接近真实解,为预测光固化过程的溶胀应力和变形的高保真仿真计算奠定基础。
技术关键词
应力 非线性最小二乘法 遗传算法优化 广义 神经网络框架 参数 有限元分析方法 光刻胶模型 有限元分析软件 数据 曲线 样本 浮点数 元件 关系 索引 基因
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