一种集成磁芯及水平型霍尔元件的集成芯片及其制备方法

AITNT
正文
推荐专利
一种集成磁芯及水平型霍尔元件的集成芯片及其制备方法
申请号:CN202410855624
申请日期:2024-06-28
公开号:CN118393408B
公开日期:2024-10-18
类型:发明专利
摘要
一种集成磁芯及水平型霍尔元件的集成芯片及其制备方法,通过晶圆键合方式将两片磁通聚集器分别与霍尔ASIC芯片对准,然后分别晶圆键合至霍尔ASIC芯片的上表面和下表面,形成一体化的集成芯片;在每片磁通聚集器中均设置有磁通聚磁薄膜,在水平型霍尔ASIC芯片设置有水平型霍尔元件。本发明通过磁通聚集器与霍尔ASIC芯片形成一体化的集成芯片,其中磁通聚磁薄膜能起到汇聚磁感应线、放大被检测磁场强度,实现与铁磁芯相同的功能。该集成芯片无需使用大块铁磁芯,能够实现霍尔电流检测芯片的微型化;实磁通聚磁薄膜与水平型霍尔元件的微米级精对准,明显优于目前磁铁芯装配的对齐精度。
技术关键词
ASIC芯片 晶圆衬底 集成磁芯 霍尔元件 集成芯片 磁通 晶圆结构 调试电路 薄膜 聚集器 砷化镓衬底 氧化层 标识 检测磁场强度 电流检测芯片 引线框架 硅通孔工艺 定义 磁感应线
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号