一种半导体芯片的深度清洗剂、制备方法与应用

本发明涉及一种半导体芯片的深度清洗剂、制备方法与应用。所述深度清洗剂，按照重量份计算，包括如下组分：聚乙烯吡咯烷酮1‑5份；醇胺7‑14份；苯酚类物质0.2‑1份；醇醚10‑30份；酯类50‑70份；缓蚀剂0.1‑0.7份。本发明中缓蚀剂含氟硅氧烷会在碱性条件下进行水解生成含羟基的物质，然后与基材偶联，在基材表面生成一层疏水疏油膜，苯酚在氧气存在的条件下生成氢醌类物质，除去溶解氧，同时又起到了隔绝油和水的作用，降低了金属的氧化腐蚀。在聚乙烯吡咯烷酮、醇胺、苯酚类物质、醇醚、酯类和缓蚀剂的共同作用下，能够对深刻蚀及复杂结构芯片进行有效清洗。本发明清洗剂制备方法简单，使用方便，能实现深度清洗的同时减轻对金属的腐蚀。