基于MCU内置时钟晶体达到高精度RTC免校准方法

本发明公开基于MCU内置时钟晶体达到高精度RTC免校准方法，涉及电能表技术领域，包括以下步骤：步骤一、多个时钟晶体的选用，时钟晶体顶点温度为25℃±2℃，多个所述时钟晶体之间的偏差为小于±4％，以保证温度补偿的一致性；步骤二、在MCU芯片内部集成晶体的匹配电容，并将步骤一中所选时钟晶体与MCU芯片进行合封，所述时钟晶体内置在MCU芯片内部所产生的寄生电容稳定小于0.5pF；步骤三、对集成在MCU芯片上的时钟晶体进行测试，测试出三段温度节点的时钟晶体偏差；步骤四、将时钟晶体误差补偿值固化在MCU芯片的内部，以达到免校准的功能。由于时钟晶体内置在MCU芯片内部，并通过封装工艺，能够完全杜绝晶体与外部接触。