一种提高存算一体芯片良率的方法、系统和介质

本申请提供了一种提高存算一体芯片良率的方法、系统和介质。该方法包括：根据存算一体芯片生产过程中预设数量的生产工艺数据，处理获得有效光刻数据、有效薄膜沉积数据、有效离子注入数据、有效退火数据以及有效酸洗数据，并分别计算获得工艺第一良率影响数据和工艺第二良率影响数据，获取标准生产环境数据和实时生产环境数据并计算获得工艺环境良率影响因子，进而计算获得工艺综合良率影响参数，然后通过阈值对比获得工艺良率影响状态数据和生产工艺处理方案；从而通过基于工艺综合良率影响参数的计算、分析，进一步实现提升存算一体芯片良率的技术。