一种高压LED芯片及其制备方法、设备

本发明提供了一种高压LED芯片及其制备方法、设备，涉及半导体技术领域。在形成隔离沟槽的深刻蚀处理过程中采用两段刻蚀，第一段刻蚀将剩余的N型半导体层进行刻蚀暴露出衬底的部分粗化面；第二段刻蚀采用目标等离子气体对暴露出的衬底的粗化面进行刻蚀，实现将粗化面去除的目的，且对所述隔离沟槽的侧壁进行离子注入，使所述隔离沟槽的侧壁的表面状态变为高阻状态。在将隔离沟槽底部的衬底的粗化面去除后可提高高压LED芯片的发光效率以及发光亮度；在将隔离沟槽的侧壁的表面状态变为高阻状态后可减少高压LED芯片的正向漏电，提升高压LED芯片小电流状态下的电压。