一种用于SiC MOSFET的电学性能退化预测方法

本发明涉及一种用于SiC MOSFET的电学性能退化预测方法，分析栅源电压、温度、退化时长的三种影响因素，依据构成SiC MOSFET基本模型，分别构建零漏源电压下长沟道阈值电压的第一退化表征模型结构、零偏电场下迁移率的第二退化表征模型结构、以及阈值电压一阶体效应系数的第三退化表征模型结构，然后执行关于目标SiC MOSFET器件的高温栅偏实验，并进行模型训练，分别获得第一退化表征模型、第二退化表征模型、第三退化表征模型；最后将所构建三个退化表征模型嵌入到传统SiC MOSFET器件电学特性SPICE模型中，获得用于预测电学性能退化的SiC MOSFET模型，实现电学性能退化的高效预测。