光源掩模处理方法、电子设备及存储介质

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正文
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光源掩模处理方法、电子设备及存储介质
申请号:CN202410878530
申请日期:2024-07-02
公开号:CN118502195A
公开日期:2024-08-16
类型:发明专利
摘要
本公开的实施例涉及光源掩模处理方法、电子设备及存储介质。该方法包括:以第一精度格式对初始光源图形和初始掩模图形应用光刻模型,以生成仿真晶圆图像;以第二精度格式确定指示仿真晶圆图像与目标图形的差异的度量指标,第二精度格式的精度高于第一精度格式的精度;基于度量指标确定更新的光源图形和更新的掩模图形;以及响应于度量指标满足预定条件,将与满足预定条件的度量指标对应的光源图形和掩模图形分别确定为优化的光源图形和优化的掩模图形。本公开的方案能够显著提高光源掩模优化过程中的计算速度并减少对计算资源和存储资源的消耗。
技术关键词
掩模图形 格式 光刻模型 光源 晶圆 度量 指标 执行卷积运算 图像 处理器 边缘放置误差 单精度浮点数 矩阵 设备执行动作 电子设备 可读存储介质 光刻系统
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