辐射探测芯片及其制备方法、辐射探测方法

本申请属于半导体领域，涉及辐射探测芯片及其制备方法、辐射探测方法，辐射探测芯片包括：封装壳体，以及位于封装壳体中的碲锌镉探测器和信号采集读出电路；其中碲锌镉探测器包含碲锌镉晶体、第一电极和第二电极，第一电极和第二电极通过绝缘带间隔，并且第一电极、绝缘带和第二电极覆盖碲锌镉晶体的整个表面，通过调节绝缘带的宽度以使碲锌镉探测器在接入外接设备后仍具有目标电场强度，外接设备为可穿戴设备或便携式设备，目标电场强度为在预设偏压下碲锌镉探测器中维持载流子迁移的电场强度；信号采集读出电路包括计数芯片和信号处理芯片。本申请中的辐射探测芯片在可穿戴设备提供的低偏压下即可实现辐射探测，无需使用升压模块或升压芯片。