一种半导体掩膜版数据图形优化方法及系统

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一种半导体掩膜版数据图形优化方法及系统
申请号:CN202410893730
申请日期:2024-07-04
公开号:CN118859639B
公开日期:2025-02-28
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种半导体掩膜版数据图形优化方法及系统,涉及数据处理技术领域,方法包括:获取半导体掩膜版数据,半导体掩膜版数据包括待加工的设计图形;构建光刻成像模型;对待加工的设计图形进行初步分段;将初步分段后的设计图形输入至光刻成像模型中,输出光刻加工后的实际图形;基于设计图形与实际图形之间的差异,计算各段图形的EPE敏感度;基于EPE敏感度,对初步分段后的设计图形进行精细分段;基于各段图形的工艺变动感知EPE、PV带区域面积以及CPU运行时间,控制精细分段后的各段图形进行移动,对设计图形进行图形优化。本发明可以提高图案的几何精度,提升图形优化效率,降低图形优化难度。
技术关键词
图形优化方法 半导体 掩膜 分段 计算机可读指令 参数 粒子群优化算法 点扩散函数 成像 光刻系统 数据处理技术 光强 存储器 处理器 光源 掩模 图案 坐标
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