存储装置、半导体器件及存储器系统

本发明公开了一种存储装置、半导体器件及存储器系统，涉及半导体领域，包括芯片及多个导电线。芯片包括金属层，其中金属层为金属垫或金属再分布层。多个导电线垂直形成于金属层上，其中多个导电线的数量为至少三个，多个导电线的长度为5纳米至200纳米，且每一个导电线与相邻的一个导电线之间的距离为0.1纳米至20纳米。通过垂直形成于金属层上的多个纳米导电线进行连接，可避免热工艺造成的成品率降低及可靠性风险，同时因其优越的电气性能实现更好的产品性能和产量。此外，通过应用垂直纳米导电线及其连接技术，可实现用于探测目的的临时、非永久性连接，同时可以直接在基板上安装芯片，从而处理未经测试的设备并提供新的功能。