浮栅型存储器TCAD仿真模型的校准方法、设备及存储介质

本发明公开浮栅型存储器TCAD仿真模型的校准方法、设备及存储介质。对浮栅型存储器搭建实际浮栅型存储器和对应TCAD仿真模型；然后对仿真模型进行校准；通过在浮栅型存储器的控制栅和浮栅之间增加电容，微调控制栅和浮栅的电容耦合比，校准器件在编程、擦除过程中氧化层固定电荷参数，校准迁移率模型参数和界面态参数，实现电性测试校准；通过校准Si/SiO2界面态、体氧化物陷阱和近界面氧化物陷阱的分布情况，实现可靠性测试校准。本发明方法显著提高TCAD仿真模型的表达准确率。