针对双路输出的差分霍尔芯片的测试方法

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正文
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针对双路输出的差分霍尔芯片的测试方法
申请号:CN202410908846
申请日期:2024-07-08
公开号:CN118884167A
公开日期:2024-11-01
类型:发明专利
摘要
本发明公开了霍尔芯片测试技术领域的针对双路输出的差分霍尔芯片的测试方法,所述测试方法采用的测试结构由模式检测模块、逻辑控制开关、亥姆霍兹线圈、四个霍尔传感头、差分‑差分放大器、迟滞比较器和输出模块组成。采用本发明的结构来测试双路输出的差分霍尔芯片,不再依赖差分线圈,避免了差分线圈剩磁、磁场分布不均匀以及与芯片位置关系、芯片封装误差等引起的测量误差,利用本发明的测试方案配合亥姆霍次线圈测试,使得芯片始终位于磁场分布均匀的磁场中,不再受限上述中位置关系,也不会有剩磁的干扰,大大提高了双路输出的差分霍尔芯片测试精度,从而获得更加可靠准确的测量结果。
技术关键词
差分放大器 模式检测模块 逻辑控制开关 测试方法 亥姆霍兹线圈 检测磁场 输出模块 电压 测试结构 芯片测试技术 传感头 短路 电阻网络 霍尔传感器 芯片封装 测量误差 电平
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