等离子体调控超额定状态下高超声速进气道性能的方法

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等离子体调控超额定状态下高超声速进气道性能的方法
申请号:CN202410912020
申请日期:2024-07-09
公开号:CN118775058A
公开日期:2024-10-15
类型:发明专利
摘要
提出一种等离子体调控超额定状态下高超声速进气道性能的方法:在进气道前体各级布置高频等离子体阵列,通过前体与进气道的唇口的较长流向距离,消除等离子体热阻塞影响;通过等离子体产生的高频冲击波,对前体激波造成持续冲击,强化前体激波的高频振荡,削弱前体激波的强度以及低频不稳定性;在额定工况下,通过削弱前体激波强度间接激发唇口激波高频振荡,减弱唇口激波/边界干扰问题所造成的流动分离。本发明既保留了等离子体的响应迅速、不改变表面结构以及调控能力强的特点,又消除了等离子体热气团可能会在进气道通道内形成热阻塞的影响,充分发挥了等离子体的调控激波/边界层干扰的能力,能够实现对高超声速进气道性能的改善与提升。
技术关键词
高超声速进气道 高压脉冲电源 大功率直流 等离子体激励器 储能电容 进气道唇口 储能电路 放电电极 冲击波相互作用 二极管 直流电源 对称轴 模型制作材料 高压导线 氧化铝陶瓷材料 高频振荡
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