LED半导体芯片集中性脏污缺陷检测方法、设备及介质

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LED半导体芯片集中性脏污缺陷检测方法、设备及介质
申请号:CN202410912680
申请日期:2024-07-09
公开号:CN118470004B
公开日期:2024-10-15
类型:发明专利
摘要
本发明提供LED半导体芯片集中性脏污缺陷检测方法、设备及介质,主要针对LED半导体芯片Pad区集中分布散点脏污缺陷检测,通过图像预处理、图像增强算法、基于灰度信息的图像分割及网格缺陷判定算法,能够自动计算出不同位置集中分布脏污的情况,根据参数调整能够检测不同脏污严重程度的集中性缺陷。本发明使用人工设计缺陷检测算法,不需要收集大量的缺陷样本数据,仅需对缺陷的判定规格有一定了解即可;针对客户场景设计的缺陷检测算法,能够有效降低产品差异、光照等因素对检测结果的影响,从而提高检测算法的鲁棒性;使用网格缺陷判定算法,能够更有效的减少离散脏污的误检出率,能更加精准有效的识别出集中性脏污缺陷。
技术关键词
LED半导体芯片 缺陷检测方法 脏污 网格 图像增强算法 判定算法 缺陷检测算法 二值化图像 直方图 圆度 对比度 电极 邻域 粗略 网络 代表 亮度
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