一种用于芯片表面的铟柱阵列的制备方法及倒装焊芯片

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一种用于芯片表面的铟柱阵列的制备方法及倒装焊芯片
申请号:CN202410913286
申请日期:2024-07-09
公开号:CN118888462A
公开日期:2024-11-01
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种用于芯片表面的铟柱阵列的制备方法及倒装焊芯片,通过逐层生长和压缩的方式,可以精确地控制铟柱的高度和形状,从而实现高度、底部表面积、顶部表面积以及铟柱截面积均可控的铟柱阵列,将芯片通过上述铟柱阵列倒装焊焊接在一起,提高了芯片与芯片之间的连接强度,提高了倒装焊芯片的电气稳定性,适用于各种高性能电子设备中。
技术关键词
铟柱 倒装焊芯片 阵列 焊设备 倒装焊工艺 精确地控制 光刻胶层 高性能 电子设备 衬底 电气 真空 直线 强度 信号
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