一种氮化物外延结构及其制备方法、发光芯片及显示设备

本申请涉及一种氮化物外延结构及其制备方法、发光芯片及显示设备。本申请涉及半导体技术领域，所述氮化物外延结构包括依次设置的：衬底；AlN层以及GaN层；所述AlN层包括自靠近所述衬底向远离所述衬底方向依次设置的AlN基础层、第一AlN层、第二AlN层及第三AlN层；所述第一AlN层的V/III比为300～400；所述第二AlN层包括多个在12000sccm的NH3通量及多个在480sccm的NH3通量下交替生长的AlN层；所述第三AlN层的V/III比为60～180。第二AlN层包括多个在12000sccmNH3通量及多个在480sccmNH3通量下交替生长的AlN层，利用交替V/III比生长AlN，可以在生长无裂纹AlN薄膜，得到高质量的AlN外延。交替V/III比生长的AlN结构可以改变位错生长行为，形成倾斜的位错，从而释放应力，减小了AlN生长过程中晶圆开裂的风险。