一种单片集成光电芯片及其制备方法与电池表面温度的测量方法

本发明公开一种单片集成光电芯片及其制备方法与电池表面温度的测量方法，涉及半导体技术领域，单片集成光电芯片包括衬底，以及间隔集成在衬底上的发光二极管和光电探测器，光电探测器包括MQWs层以及与MQWs层连接的N电极和P电极，MQWs层包括交替层叠设置的InGaN层和GaN层。本发明提供的单片集成光电芯片，操作简便，可直接置于电池表面测量温度，对电池温度变化响应快，灵敏度高，可精确测定电池表面的温度，最小可分辨小于0.1℃的温度变化。此外，该单片集成光电芯片体积小，测试方式十分灵活，不仅能实现电池表面单点温度的检测，还可将多个单片集成光电芯片阵列排布在电池表面，完成电池表面温度分布的测量。