可控硅芯片的制作方法及可控硅芯片

本申请提供一种可控硅芯片的制作方法及可控硅芯片，涉及半导体技术领域。所述方法包括：提供一硅片，硅片包括第一表面及第二表面；在第一表面及第二表面分别形成第一氧化层及第二氧化层；对第一氧化层及第二氧化层进行光刻，在第一氧化层分别形成暴露出第一表面的第一窗口及第二窗口，在第二氧化层形成暴露出第二表面的第三窗口；使用磷源进行预扩散，分别形成第一磷层及第二磷层；在第一磷层远离第一表面的一侧形成屏蔽层；根据第一磷层及第二磷层对硅片进行二次预扩散及主扩散，形成正面发射区、门极及背面发射区，正面发射区及门极的掺杂浓度小于背面发射区的掺杂浓度，如此，可以实现各个象限的触发电流差值较小，同时保持dv/dt参数的稳定性。