晶上储能芯片的设计制造与集成方法

本发明公开了晶上储能芯片的设计制造与集成方法，属于先进微电子技术领域。根据储能电池的集流体、电极、隔膜、电解质等分层构型的特点，创新提出晶上储能芯片的多晶圆分层制备方法：利用半导体制造CMOS工艺在不同晶圆同一区域刻蚀腔室和模板，为储能芯片提供封装外壳；在上、下晶圆分别沉积制备集流体、正/负极并填充电解质，经对准标记低温键合形成晶上储能芯片；利用沉积剥离工艺形成RDL导电线路、采用DRIE与Bosch工艺制备TSV，实现晶上储能芯片与多层界面结构、芯片及器件的电学连接，提高智能系统集成度。本发明可获得高性能、轻量化、高集成、可定制化的储能芯片，作为集成能源芯片保证微小型化电子设备稳定的电能供应，为后摩尔时代智能微系统提供关键核心芯片。