一种集成电路装置及其制造方法

本发明涉及一种集成电路装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明的集成电路装置的制造方法中，通过设置第一介电保护层中的金属离子的浓度大于第二介电保护层中的金属离子的浓度，且第二介电保护层中的金属离子的浓度大于第三介电保护层中的金属离子的浓度，然后进行热处理，以在所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片以及所述第三半导体芯片上分别形成第一电磁屏蔽结构、第二电磁屏蔽结构以及第三电磁屏蔽结构，提高集成电路装置的电磁屏蔽结构设置方式的灵活性。