一种深硅孔结构博世刻蚀工艺加工方法

本发明属于硅加工领域，具体涉及一种深硅孔结构博世刻蚀工艺加工方法。传统博世刻蚀工艺在深硅孔加工中存在侧壁扇贝褶皱严重、刻蚀深度受限等问题，无法满足高集成度芯片封装的要求。针对这些问题，本发明在传统博世刻蚀工艺基础上引入氧气，并调整SF6、C4F8流量、ICP功率、偏置电压、工艺气压及刻蚀和钝化时间的参数，成功解决了150μm以下深度槽型孔刻蚀的难题。通过这些改进，本发明显著减少了刻蚀过程中产生的侧壁扇贝褶皱，提升了硅孔的侧壁质量和垂直度，从而提高了硅通孔结构的电气性能和整体可靠性。该方法不仅适用于芯片三维封装，还可应用于微机电系统、微流控芯片等微纳器件的制造，有效提升了产品的加工深度和质量。