一种基于表面外延生长的石墨烯节能超材料制备方法

本发明涉及石墨烯节能超材料制备技术领域，具体涉及一种基于表面外延生长的石墨烯节能超材料制备方法，该方法包括：对SiC单晶基板表面进行清洁处理；将清洁干净的SiC单晶基板放入化学气相沉积反应器的沉积腔体中，向腔体通入反应气体；采集SiC区域的温度数据、压强数据以及Raman光谱图；结合MPC算法获取下一时刻制备石墨烯的最佳加热温度；加热停止后，在SiC单晶基板表面温度达到一定温度时关闭高频感应加热设备，停止通入反应气体，使用真空泵控制沉积腔体中的压强；自然冷却至室温后，得到SiC单晶基板表面外延生长的石墨烯。本发明旨在对石墨烯制备过程中的温度进行控制，提高通过碳化硅外研发制备石墨烯的速度和质量。