半导体装置的制造方法

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正文
推荐专利
半导体装置的制造方法
申请号:CN202410934298
申请日期:2024-07-12
公开号:CN120784158A
公开日期:2025-10-14
类型:发明专利
摘要
本发明的实施方式涉及半导体装置的制造方法。本实施方式所涉及的半导体装置的制造方法通过在具有设置有半导体元件的第1面和与第1面相反侧的第2面的晶片的第2面形成凹部,由此在第2面形成薄板部及将薄板部包围的环状凸部。本制造方法具有在第2面上形成第1膜的步骤。本制造方法具有以使第1膜的至少一部分保留在薄板部与环状凸部的边界部的方式将第1膜的一部分去除的步骤。
技术关键词
半导体装置 环状凸部 无机绝缘膜 半导体元件 薄板 层叠膜 掩模 聚酰亚胺膜 单层 氮化硅 氧化硅 图案 单片 蚀刻 芯片
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