半导体装置的制造方法
站点导航
首页
AI资讯
AI技术研报
AI监管政策
AI产品测评
AI商业项目
AI产品热榜
AI专利库
AI需求对接
APP 下载
iOS 下载
安卓下载
# 热门搜索 #
大模型
人工智能
openai
融资
chatGPT
清空
确定
AITNT
正文
推荐专利
半导体装置的制造方法
申请号:
CN202410934298
申请日期:
2024-07-12
公开号:
CN120784158A
公开日期:
2025-10-14
类型:
发明专利
摘要
本发明的实施方式涉及半导体装置的制造方法。本实施方式所涉及的半导体装置的制造方法通过在具有设置有半导体元件的第1面和与第1面相反侧的第2面的晶片的第2面形成凹部,由此在第2面形成薄板部及将薄板部包围的环状凸部。本制造方法具有在第2面上形成第1膜的步骤。本制造方法具有以使第1膜的至少一部分保留在薄板部与环状凸部的边界部的方式将第1膜的一部分去除的步骤。
技术关键词
半导体装置
环状凸部
无机绝缘膜
半导体元件
薄板
层叠膜
掩模
聚酰亚胺膜
单层
氮化硅
氧化硅
图案
单片
蚀刻
芯片
沪ICP备2023015588号