一种光学芯片衬底及制备方法

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一种光学芯片衬底及制备方法
申请号:CN202410942203
申请日期:2024-07-15
公开号:CN118915229A
公开日期:2024-11-08
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种光学芯片衬底及制备方法,包括功能层、第一氧化层、衬底层和第二氧化层,衬底层包括相互背离的第一表面和第二表面,第一氧化层位于功能层和第一表面之间,第二氧化层位于第二表面上;第一氧化层包括至少一层第一氧化薄膜,第一氧化薄膜是通过形成第一硅薄膜并热氧化后得到的;第二氧化层包括至少一层第二氧化薄膜,在形成第一氧化层的过程中,第二氧化薄膜是通过形成第二硅薄膜并热氧化后得到的。本申请的第二氧化层能够有效补偿第一氧化层和衬底层间的热应力,在加快第一氧化层和第二氧化层整体制备效率的同时,大大提升应力平衡性,有利于提升各层结构及光学芯片衬底整体的制备良率和最终光学芯片衬底的形貌精度。
技术关键词
硅薄膜 氧化层 芯片 多晶硅 衬底层 碳化硅 绝缘体上硅 非晶硅 单层 单晶硅 钛酸锶 磷化铟 钛酸钡 氟化钙 金刚石 氧化硅
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