一种SiC UMOSFET器件及其制备方法

一种SiC UMOSFET器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。通过在SiC UMOSFET器件中形成第一沟槽区和第二沟槽区，通过在第一沟槽区底部形成P+Shield区，对第一沟槽区和第二沟槽区底部的栅氧同时进行保护，同时在第一沟槽区和第二沟槽区两边均形成沟道区，从而增加了芯片的沟道区数量，提高了器件通流能力。并且本发明在第一沟槽区底部形成体二极管，使底部的P+Sheild区接地，更进一步提高了其保护能力，而由于体二极管从原本的漂移层上方转移到了内部，因此也降低了体二极管续流过程中的电阻，降低了续流损耗。