一种用于混合键合微区应力表征的方法

本申请提供一种用于混合键合微区应力表征的方法。该方法包括：提供两个基础芯片；分别在两个所述基础芯片的键合面上形成图形化的介质层，得到介质结构；在所述介质结构中形成含有应力表征物的金属结构，得到两个目标基础芯片；将两个所述目标基础芯片进行混合键合形成混合键合结构，观察该混合键合结构中应力表征物的形变；根据所述应力表征物的形变得到混合键合微区的应力。本申请中，在制作混合键合结构时将应力表征物制作在了其中，在两基础芯片混合键合后，可以通过应力表征物的形变来定量表征混合键合微区的应力，从而解决了混合键合微区应力难以准确定量表征的问题，可以实现混合键合微区应力变化的检测。