一种IGBT集电极-发射级电压保护阈值设置方法及装置

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正文
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一种IGBT集电极-发射级电压保护阈值设置方法及装置
申请号:CN202410953106
申请日期:2024-07-16
公开号:CN118970837A
公开日期:2024-11-15
类型:发明专利
摘要
本发明属于IGBT运行状态的故障诊断技术领域,具体涉及一种IGBT集电极‑发射级电压保护阈值设置方法及装置。该方法包括:将IGBT当前时刻之前各历史时刻的集电极直流电流、结温和集电极‑发射级电压保护阈值,以及限流电阻输入到搜索算法中寻优,确定最优权重;根据当前时刻的集电极直流电流、结温和最优权重,计算当前时刻的集电极‑发射级电压保护阈值;将当前时刻和各历史时刻的集电极‑发射级电压保护阈值输入到预测模型中,预测得到下一时刻的集电极‑发射级电压保护阈值,能够适应IGBT芯片在不同的工作条件下的电压、电流和温度变化,确保Vce保护阈值能够有效地匹配当前的电力系统状态性。
技术关键词
IGBT集电极 电压 搜索算法 直流电流 混合预测模型 网络结构 IGBT芯片 故障诊断技术 线性回归模型 误差校正 随机森林 电阻 电力系统 处理器 关断
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