深紫外LED芯片及其制备方法、封装结构及其封装方法

本发明涉及深紫外LED芯片及其制备方法、封装结构及其封装方法，属于深紫外LED技术领域。包括外延片、N电极、P电极、两个连接电极层、钝化层、N焊盘电极、P焊盘电极、焊接层和反射层；外延片包括衬底和外延层。通过设置焊接层，将焊接层设置在衬底的正面并位于外延层的外周，在封装深紫外LED芯片时，焊接层直接与封装结构焊接即可实现对外延层封装，无需通过围坝支架、透镜和硅胶等有机材料进行封装，解决了透镜脱落的风险和深紫外LED芯片出光有遮挡的现象，还实现了对外延层的高密封性的全无机封装；通过设置反射层，将反射层设置在衬底和焊接层之间，提高了深紫外LED芯片的反射效果，从而提高深紫外LED芯片的出光效率。