一种提高出光效率的深紫外芯片结构及其制备方法

本发明属于深紫外芯片技术领域，具体涉及一种提高出光效率的深紫外芯片结构及其制备方法，制备方法包括下列步骤：在衬底上制备外延片结构；制备第一台面和第二台面；在第一台面制备第一电极，在第一电极上制备第一电流扩展层；在半导体导电层P‑GaN层上制备第二电极，在第二电极上制备第二电流扩展层；在外延片结构上制备透明介质层；将透明介质层采用干法刻蚀刻蚀粗化图形或者湿法刻蚀的方式进行粗化；在第一电极和第二电极上面制备钝化层；在钝化层制备通孔，在通孔上面制备金锡合金的焊盘电极。本发明通过折射率渐变及表面粗化改善了侧壁的全反射造成的能量损失，有效提高芯片的外量子效率。