滞回比较器和芯片

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滞回比较器和芯片
申请号:CN202410964074
申请日期:2024-07-17
公开号:CN118783931A
公开日期:2024-10-15
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种滞回比较器和芯片,包括:反相电路,包括串联在电源电压和地之间的上拉晶体管和下拉晶体管,上拉晶体管和下拉晶体管的控制端用于接收输入信号,上拉晶体管和下拉晶体管的中间节点用于提供输出信号;以及体控制电路,用于向下拉晶体管提供第一衬底电压以及向上拉晶体管提供第二衬底电压,第一衬底电压大于零且第二衬底电压小于电源电压,从而形成MOS管背栅效应,使得上拉晶体管和下拉晶体管的导通阈值降低,从而可以带来兼容性、性能、噪声容限和设计灵活性等多方面的好处。此外,体控制电路还用于根据输出信号调整第一衬底电压和第二衬底电压以提供滞回效应,能够在不增加电路复杂性的情况下实现所需的滞回特性。
技术关键词
上拉晶体管 下拉晶体管 电阻模块 衬底 电压 控制电路 信号 反相电路 电源 噪声容限 PMOS管 NMOS管 效应 节点 芯片 电流源
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