半导体存储装置

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推荐专利
半导体存储装置
申请号:CN202410966051
申请日期:2024-07-18
公开号:CN119364769A
公开日期:2025-01-24
类型:发明专利
摘要
本发明的实施方式涉及半导体存储装置。半导体存储装置具备:第一芯片;以及第二芯片,其相对于第一芯片贴合于第一方向侧。第一芯片具有设置在与第二芯片贴合的第一贴合面上的多个第一贴合电极。第二芯片具有设置在与第一芯片贴合的第二贴合面上的多个第二贴合电极。多个第一贴合电极和多个第二贴合电极通过相互接合而形成多个接合电极。多个接合电极包含相对于第二绝缘层在第三方向的一侧相邻配置的接合电极作为第一接合电极,包含相对于第二绝缘层在第三方向的另一侧相邻配置的接合电极作为第二接合电极。多个第一接合电极和多个第二接合电极在第二方向和第三方向上相互配置为交错状。
技术关键词
半导体存储装置 导电层 芯片 虚设电极 存储单元晶体管 层叠体 四边形 间距
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