用于晶体生长装置的自动温控方法、系统和装置

本发明涉及单晶生长技术领域。一种用于晶体生长装置的自动温控方法、系统和装置。所述方法用于晶体生长装置，晶体生长装置包括主控发热体和辅控发热体，主控发热体用于控制生长装置的高温区间，辅控发热体用于控制生长装置的低温区间，自动温控方法包括：获取晶体生长固液界面的生长参数，生长参数用于表征晶体的生长状态；利用第一多段自动温控算法基于生长参数的偏移量计算主控发热体的温度调整量，并利用第二多段自动温控算法基于生长参数的偏移量计算辅控发热体与主控发热体的温差调整量；基于主控发热体的温度调整量调整主控发热体，基于主控发热体的温度调整量和辅控发热体与主控发热体的温差调整量调整辅控发热体。