高密度重新分布互连封装结构及其制备方法

本发明提供了一种高密度重新分布互连封装结构及其制备方法，涉及芯片封装技术领域，该高密度重新分布互连封装结构包括第一芯片、转接围墙、第一塑封体、基底布线组合层、第二芯片、第二塑封体和焊球，转接围墙围设在第一芯片周围，且转接围墙中设置有第一导电柱；第一塑封体包覆在第一芯片和转接围墙周围；基底布线组合层设置在第一塑封体的一侧表面；转接围墙的介电常数小于第一塑封体的介电常数。相较于现有技术，本发明通过额外设计转接围墙，并在转接围墙中形成第一导电柱，避免了在塑封材料上开槽，转接围墙介电常数更低，绝缘性能更好，可以减少传输损耗，提升第一导电柱的传输性能。