一种用于抑制铜钴电偶腐蚀的半导体芯片清洗液、其制备方法及应用

本发明提供一种用于抑制铜钴电偶腐蚀的半导体芯片清洗液、其制备方法及应用。本发明用于抑制铜钴电偶腐蚀的半导体芯片清洗液包括重量配比如下的各组分：葡萄糖衍生物1‑5份；抑制剂1‑10份；有机胺1‑10份；超纯水80‑90份。本发明用于抑制铜钴电偶腐蚀的半导体芯片清洗液能有效的抑制铜的表面腐蚀，并且降低其表面粗糙度，同时促进BTA残留物的去除。本发明用于抑制铜钴电偶腐蚀的半导体芯片清洗液在半导体芯片清洗领域具有非常良好的应用前景和大规模工业化推广潜力。