一种石墨烯上氮极性GaN基长波长LED芯片及其制备方法

一种石墨上氮极性GaN基长波长LED芯片及其制备方法，属于半导体发光器件领域。其依次由衬底层、石墨烯层、氮极性GaN模板层、氮极性n‑GaN电子提供层、氮极性InGaN基量子阱有源区、氮极性p‑Alx1Ga1‑x1N电子阻挡层、氮极性p‑GaN空穴注入层、p型电极层和n型电极层构成。石墨烯与外延薄膜间的相互作用力弱，量子阱有源区受到的应力会降低，同时外延片的翘曲度会降低，能够提升量子阱层中铟的并入效率、缓解相分离并提高发光均匀性。此外，采用氮极性InGaN量子阱结构能够进一步提高铟的并入效率。因此，在石墨烯上基于氮极性材料能够在更高温度下实现量子阱的外延生长，从而提高量子阱的晶体质量。