激光器直接耦合的硅光芯片及其制造方法、电子装置

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激光器直接耦合的硅光芯片及其制造方法、电子装置
申请号:CN202410986783
申请日期:2024-07-22
公开号:CN118707651A
公开日期:2024-09-27
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种激光器直接耦合的硅光芯片及其制造方法、电子装置,所述硅光芯片包括:衬底、第一介质层结构和模斑转换结构;其中,所述第一介质层结构位于所述衬底上,所述第一介质层结构具有一用于与激光器的出光口端面直接耦合的第一端面,所述第一端面沿第一方向形成为第一柱面透镜形状、沿第二方向形成为第二柱面透镜形状;所述模斑转换结构位于所述第一介质层结构内部。
技术关键词
介质层结构 模斑转换结构 梯形凹槽 柱面透镜 激光器 硅光芯片 衬底 电子装置 蚀刻 氧化硅
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